实验室有超净间900平方米，其中百级面积为90平方米。80余台套各种工艺实验和检测分析设备价值近8000万元，其中百分之80为九十年代进口设备。齐全完善的设备配套能够满足高速双极电路、CMOS/SOI电路，特别是硅MEMS器件研究加工的需求。
实验室的建设宗旨是：一、进行微电子机械系统（MEMS）加工技术的研究，二、与其它单位开展MEMS技术合作和应用研究，三、为国内外重大MEMS技术研究项目提供微加工技术服务，四、开展MEMS技术的产业化研究工作。实验室的目标是建设世界一流的MEMS加工技术研究环境，为国内外产业及研究机构服务。
在以硅工艺为基础的MEMS加工技术研究方面，实验室首次在国内引进了英国STS公司生产的高深宽比硅刻蚀的ICP
ASE、高密度等离子刻蚀系统高深宽比氧化硅刻蚀系统ICP AOE、高密度等离子金属刻蚀系统ICP METAL
ETCHING和低应力薄膜等离子增强化学汽相淀积系统STS PECVD，德国KARL SUSS公司生产的可双面光刻、键合对准系统MA/BA6、静电及热键合系统SB6，还有ASM
公司的LB35低压化学汽相淀积系统。这些世界一流的MEMS工艺研究设备使我国在硅MEMS技术研究方面有了与国际先进水平对话的“共同语言”。
在进行硬件建设的同时重点实验室更重视与之配套的软件建设。目前重点实验室有包括教授、研究员、工程师、实验师和实验员在内的各类技术人员30余名，平均年龄36岁。年轻且富有经验研究队伍构成了实验室发展的强劲动力。特别是专业的工艺研究人员和设备维修人员队伍为重点实验室开展广泛的对外合作和技术服务以及实验环境的正常运行提供了有力的技术保证。另外重点实验室每年还培养十余名硕士生，5-6名博士生。同时还有4-5名博士后人员进站工作。
为突破MEMS研究中加工技术的制约，重点实验室在工艺技术研究方面投入了大量的人力和物力，承担了多项与加工技术有关的国家重大基础研究（973）项目、863项目和国际合作项目，并在硅深刻蚀技术、键合技术、表面牺牲层释放技术方面取得了突破性的进展。
在总结大量合作研究和加工服务工作的基础上开发了能够满足加速度计、陀螺、可调电容、继电器、流量计、压力计、化学气体传感器、微夹钳、微喷嘴等十余种MEMS器件加工需求的键合-高深宽比刻蚀释放技术、湿腐蚀释放技术和表面牺牲层工艺等标准工艺。重点实验室希望实现MEMS技术的分工合作研究方式，将加工技术和器件设计发展成为彼此独立但又紧密合作的研究方向，让更多的设计人员能够加入MEMS技术研究的行列，使MEMS工艺从象牙塔和小作坊中走出来，成为一种被人们广泛接受的加工技术，为MEMS的推广应用和产业化打下良好的技术基础。
在进行MEMS技术研究的同时重点实验室还开展了广泛的国内外技术合作。与美国ADI公司、得尔福（Delphi）公司、康奈尔大学、新加坡材料研究所、中国工程物理研究院、清华大学、华北工学院等数十个单位建立了合作关系。
北京大学微米／纳米加工技术国家重点实验室工艺信息库
北京大学微米／纳米加工技术国家重点实验室工艺文档
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of Microelectronics, Peking University]
